0
Ảnh=Yonhapnews

SK hynix lần đầu tiên trong lịch sử đã chính thức gia nhập “câu lạc bộ vốn hóa thị trường 1 nghìn tỷ USD”. Đây là doanh nghiệp Hàn Quốc thứ hai đạt được cột mốc này sau Samsung Electronics, và là trường hợp thứ ba tại châu Á sau TSMC (Đài Loan) và Samsung Electronics.

Theo Sở Giao dịch Chứng khoán Hàn Quốc ngày 27/5, SK hynix đóng cửa phiên giao dịch ở mức 2.243.000 won, tăng 9,3% (tương đương 191.000 won) so với phiên trước. Cổ phiếu đã duy trì đà tăng 4 phiên liên tiếp kể từ ngày 21/5. Trong phiên, giá thậm chí có lúc vượt mốc 2,3 triệu won. Vốn hóa thị trường tăng hơn 136 nghìn tỷ won so với ngày trước đó, đạt 1.598,5914 nghìn tỷ won. Với tỷ giá 1 USD = 1.500 won, con số này vượt mốc 1 nghìn tỷ USD.

Trước đó, ngày 6/5, Samsung Electronics trở thành doanh nghiệp Hàn Quốc đầu tiên đạt vốn hóa 1 nghìn tỷ USD, và SK hynix đã gia nhập nhóm này chỉ sau 3 tuần.

SK hynix cũng đã vươn lên vị trí thứ 12 trong bảng xếp hạng vốn hóa toàn cầu, tăng một bậc so với ngày trước đó. Công ty đã vượt qua Berkshire Hathaway của Warren Buffett (1,043 nghìn tỷ USD) và Micron Technology (1,01 nghìn tỷ USD).

Top 5 thế giới hiện gồm NVIDIA, Alphabet, Apple, Microsoft và Amazon; từ vị trí 6 đến 11 lần lượt là TSMC, Broadcom, Saudi Aramco, Tesla, Meta và Samsung Electronics.

Sự tăng trưởng mạnh của SK hynix được lý giải là nhờ làn sóng đầu tư hạ tầng AI toàn cầu, khiến tình trạng thiếu hụt bộ nhớ bán dẫn như HBM (High Bandwidth Memory) tiếp tục kéo dài và mang lại lợi ích trực tiếp cho doanh nghiệp.

Giới phân tích chứng khoán cũng liên tục nâng giá mục tiêu cổ phiếu SK hynix. Ngày hôm nay, Mirae Asset Securities đã nâng mục tiêu từ 3,2 triệu won lên 3,8 triệu won. Nhà nghiên cứu Kim Young-keun nhận định rằng nhu cầu dư thừa đối với DRAM và NAND sẽ tiếp tục đến năm 2028, trong khi mức giá cao hiện tại sẽ được duy trì.

Ông cho rằng dù giá cổ phiếu đã tăng mạnh, vẫn còn dư địa tăng trưởng.

Ngoài ra, SK hynix gần đây đã công bố công nghệ iHBM sử dụng ICE (Integrated Cooling Element) nhằm giảm nhiệt cho HBM. ICE là vật liệu silicon có khả năng dẫn nhiệt cao nhưng không dẫn điện, giúp tạo thêm đường tản nhiệt bên trong chip HBM, giảm hơn 30% điện trở nhiệt và duy trì hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ cao và tải nặng.

SK hynix dự kiến áp dụng iHBM từ thế hệ HBM5 (thế hệ thứ 8) trở đi, phục vụ các hệ thống tính toán hiệu năng cao (HPC) và trung tâm dữ liệu AI, nhằm nâng cao độ ổn định và hiệu quả vận hành của hệ thống.