Samsung Electronics lần đầu công bố kiến trúc bộ nhớ 3D thế hệ mới… Mở ra cuộc cạnh tranh mới trong kỷ nguyên AI

06/08/2026 09:40Dịch sang：trangamy319@gmail.com
facebook twitter link Font big Font small print

Samsung Electronics đã trở thành doanh nghiệp đầu tiên trong ngành công bố kiến trúc bộ nhớ 3D thế hệ mới, với điểm nổi bật là xếp chồng bộ nhớ theo phương thẳng đứng ngay phía trên bộ tăng tốc AI (AI Accelerator). Thiết kế này được kỳ vọng mang lại hiệu năng cao gấp 8 lần và hiệu suất sử dụng điện năng cao gấp 3 lần so với bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo HBM5.

Động thái này được đánh giá là bước đi quan trọng khi Samsung đưa ra một kiến trúc bộ nhớ hoàn toàn mới nhằm đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu ngày càng lớn của các hệ thống AI – điều mà cấu trúc bộ nhớ HBM truyền thống ngày càng khó đáp ứng.

Trước đó, SK hynix cũng đã giới thiệu HBF (High Bandwidth Flash) – một kiến trúc bổ sung thêm tầng bộ nhớ mới giữa HBM và ổ lưu trữ SSD nhằm giảm tình trạng tắc nghẽn dữ liệu giữa các tầng bộ nhớ trong quá trình xử lý AI.

Điều này cho thấy cuộc cạnh tranh giữa Samsung Electronics và SK hynix không còn dừng lại ở việc nâng cao hiệu năng HBM mà đã mở rộng sang phát triển kiến trúc bộ nhớ thế hệ mới, hướng tới tối ưu hóa toàn bộ luồng dữ liệu trong hệ thống AI.

Trong bối cảnh các nhà sản xuất Trung Quốc đang tăng tốc thu hẹp khoảng cách ở thị trường DRAM phổ thông, hai "ông lớn" Hàn Quốc đặt mục tiêu duy trì vị thế dẫn đầu trong kỷ nguyên hạ tầng AI thông qua đổi mới kiến trúc bộ nhớ.

Ngày 4/8 (giờ địa phương), tại triển lãm FMS (Future of Memory and Storage) 2026 diễn ra ở Trung tâm Hội nghị Santa Clara (bang California, Mỹ), Samsung Electronics đã lần đầu giới thiệu kiến trúc bộ nhớ mới này.

Sản phẩm cốt lõi là zHBM. Khác với thiết kế hiện nay – trong đó HBM được đặt bên cạnh bộ tăng tốc AI – zHBM xếp chồng bộ nhớ theo chiều dọc ngay phía trên bộ tăng tốc AI.

Theo Samsung, hệ thống giao tiếp thế hệ mới sử dụng zHBM có thể đạt hiệu năng cao gấp 8 lần HBM5 nhờ rút ngắn tối đa khoảng cách truyền dữ liệu giữa bộ tăng tốc AI và bộ nhớ, qua đó tăng băng thông, cải thiện hiệu quả sử dụng điện năng và hỗ trợ xử lý dữ liệu siêu tốc phục vụ quá trình huấn luyện cũng như suy luận của các mô hình AI quy mô lớn.

Ngoài ra, zHBM còn là giải pháp 3D có thể tùy chỉnh theo nhu cầu khách hàng. Samsung cho biết doanh nghiệp có thể bổ sung các khối thiết kế tùy biến vào lớp trung gian (interlayer) giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI nhằm mở rộng dung lượng bộ nhớ hoặc tăng cường hiệu năng của bộ tăng tốc.

Không chỉ DRAM, Samsung cũng giới thiệu tầm nhìn mới đối với bộ nhớ NAND.

Sản phẩm zNAND-O là giải pháp NAND Flash hiệu năng cao thế hệ mới do Samsung phát triển, kết hợp công nghệ xếp chồng dọc V-NAND với công nghệ kết nối xuyên silicon TSV, tạo thành các gói bán dẫn 3D gồm 4 hoặc 8 lớp chip.

Samsung cho biết đây là sản phẩm được tối ưu cho AI trên thiết bị (On-device AI), phù hợp với những môi trường yêu cầu tốc độ phản hồi nhanh và khả năng xử lý dữ liệu hiệu suất cao.

Giới chuyên môn đánh giá những kiến trúc mới này phản ánh lợi thế của Samsung với mô hình IDM (Integrated Device Manufacturer) – doanh nghiệp sở hữu đầy đủ năng lực từ thiết kế bộ nhớ, chip logic, dịch vụ đúc bán dẫn (foundry) đến công nghệ đóng gói tiên tiến.

Nhờ đó, Samsung có thể cung cấp giải pháp tích hợp toàn diện, từ thiết kế bộ nhớ, tối ưu hóa với bộ tăng tốc AI đến khâu đóng gói, giúp phát triển các chip AI theo yêu cầu của từng khách hàng.

Khi các mô hình AI ngày càng phức tạp, khả năng cung cấp dữ liệu của bộ nhớ để đáp ứng hiệu năng tính toán của GPU đang trở thành yếu tố quyết định hiệu suất toàn hệ thống. Samsung cho rằng kiến trúc bộ nhớ mới sẽ là lời giải cho bài toán này.

Trong khi đó, SK hynix cũng đã công bố HBF – một khái niệm bộ nhớ mới nhằm mở rộng hiệu năng HBM.

Khác với zHBM của Samsung – tập trung cải thiện kết nối giữa bộ tăng tốc AI và bộ nhớ – HBF của SK hynix bổ sung thêm một tầng bộ nhớ mới giữa HBM và SSD, qua đó giảm tắc nghẽn trong hệ thống lưu chuyển dữ liệu.

Dù theo hai hướng tiếp cận khác nhau, cả Samsung Electronics và SK hynix đều đang hướng tới mục tiêu chung là giải quyết "điểm nghẽn" truyền dữ liệu trong kỷ nguyên AI. Điều này cho thấy cuộc cạnh tranh trên thị trường đã vượt ra ngoài việc cung cấp HBM, chuyển sang cuộc đua đổi mới toàn diện về kiến trúc bộ nhớ.

Đây cũng được xem là chiến lược nhằm duy trì khoảng cách công nghệ với các đối thủ đi sau, đặc biệt là các doanh nghiệp Trung Quốc.

Gần đây, CXMT đã công bố kế hoạch mở rộng mạnh năng lực sản xuất nhờ huy động được nguồn vốn quy mô lớn. Theo hãng nghiên cứu thị trường Counterpoint Research, doanh thu DRAM của CXMT trong quý II năm nay tăng 716% so với cùng kỳ năm trước – mức tăng cao nhất trong số các nhà sản xuất DRAM toàn cầu.

Giới chuyên môn nhận định rằng, mặc dù Trung Quốc đang nhanh chóng thu hẹp khoảng cách ở thị trường DRAM phổ thông, cuộc cạnh tranh trong kỷ nguyên AI sẽ được quyết định bởi đổi mới kiến trúc bộ nhớ. Samsung Electronics và SK hynix đang đặt cược vào các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới để tiếp tục giữ vai trò dẫn dắt thị trường hạ tầng AI.


Theo Lee Ji-seon
ⓒASIATODAY, nghiêm cấm sao chép và phân phối lại trái phép