0
Ông Choi Jang-seok, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng nhóm Hoạch định sản phẩm thuộc Bộ phận Kinh doanh Bộ nhớ của Samsung Electronics, đang phát biểu tại “Memory Executive Summit”, sự kiện diễn ra trước thềm “Semicon Taiwan 2026” tại Đài Bắc, Đài Loan ngày 1/9. / Samsung Electronics

Samsung Electronics đã đưa ra chiến lược mới nhằm vượt qua những giới hạn trong công nghệ bộ nhớ. Công ty đặt mục tiêu củng cố vị thế dẫn đầu về bộ nhớ thông qua việc nâng cao công nghệ “CUBE” (Capacity – Utilization – Bandwidth – Efficiency), lần lượt đại diện cho dung lượng, khả năng tận dụng, băng thông và hiệu suất năng lượng – nhiệt.

Ngày 1/9 (giờ địa phương), Phó Chủ tịch cấp cao kiêm Trưởng nhóm hoạch định sản phẩm thuộc Bộ phận Kinh doanh Bộ nhớ, Khối DS của Samsung Electronics, Choi Jang-seok đã chia sẻ tầm nhìn nhằm củng cố vị thế dẫn đầu về bộ nhớ tại “Semicon Taiwan 2026” được tổ chức ở Đài Bắc, Đài Loan. Semicon Taiwan là sự kiện quốc tế công bố các công nghệ mới nhất bao trùm từ thiết kế, sản xuất, kiểm thử đến đóng gói bán dẫn, do Hiệp hội Công nghiệp Bán dẫn và Vật liệu Quốc tế (SEMI) tổ chức, với sự tham gia của các doanh nghiệp bán dẫn lớn.

Sự kiện năm nay sẽ diễn ra từ ngày 2 đến ngày 4. Trước thềm sự kiện chính, ngày 1 đã diễn ra “Memory Executive Summit”, hội nghị chuyên ngành quy tụ các lãnh đạo cấp cao của các doanh nghiệp toàn cầu. Tại đây, ông Choi đã chia sẻ chiến lược CUBE nhằm vượt qua những giới hạn trong công nghệ bộ nhớ.

Trước hết, để vượt qua giới hạn về dung lượng (Capacity), Samsung cho biết đang nghiên cứu phương thức mở rộng dung lượng theo chiều dọc mà không cần tăng diện tích bo mạch. Để nâng cao khả năng tận dụng (Utilization), công ty có kế hoạch xếp chồng theo phương thức 3D, tối ưu hóa cách bố trí logic và bộ nhớ. Đồng thời, bằng cách rút ngắn khoảng cách giữa từng lớp, Samsung sẽ cải thiện băng thông (Bandwidth) thông qua “đường cao tốc tốc độ cao theo chiều dọc”, đồng thời giảm năng lượng cần thiết để di chuyển một bit dữ liệu, qua đó nâng cao hiệu suất về mặt cấu trúc (Efficiency).

Samsung Electronics đã liên tục nâng cấp công nghệ về dung lượng, băng thông, hiệu suất năng lượng và quản lý nhiệt qua từng thế hệ từ HBM2, thế hệ thứ hai của bộ nhớ băng thông cao (HBM), cho đến HBM5. Công ty đang đẩy nhanh tốc độ phát triển công nghệ để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đối với tính toán AI.

HBM5, được phát triển ở cấp độ cao hơn cả HBM4E thế hệ tiếp theo, dự kiến sẽ tăng gấp đôi hiệu năng và cải thiện 20% hiệu năng trên mỗi watt nhằm đáp ứng yêu cầu của các hệ thống AI trong tương lai. Sản phẩm cũng đang được phát triển với mục tiêu giảm 20% điện trở nhiệt. Kiến trúc mới zHBM được Samsung giới thiệu gần đây cũng đặt mục tiêu đạt hiệu năng cao gấp 4-8 lần so với HBM5, tăng 3 lần hiệu năng trên mỗi watt và giảm 75-90% điện trở nhiệt.

Không chỉ HBM, Samsung cũng đưa ra mô hình theo chiều dọc đối với NAND, nhằm vượt qua những giới hạn về dung lượng và hiệu suất năng lượng. zNAND-O do Samsung đề xuất cung cấp mật độ bit cao gấp 10 lần DRAM, qua đó hỗ trợ dung lượng lớn cần thiết cho các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), đồng thời cung cấp băng thông đọc và hiệu suất năng lượng cao gấp 7 lần so với NAND. Samsung Electronics có kế hoạch bắt đầu lấy mẫu sản phẩm vào năm 2028.

Dựa trên năng lực cạnh tranh về công nghệ và năng lực sản xuất thuộc hàng lớn nhất thế giới, Samsung hiện vẫn duy trì vị trí số 1 toàn cầu trên thị trường DRAM và NAND flash. Theo công ty nghiên cứu thị trường Counterpoint Research, Samsung Electronics chiếm 39% thị phần DRAM toàn cầu trong quý II năm nay tính theo doanh thu, đứng đầu thị trường.

Trong thị trường NAND flash, Samsung cũng đứng đầu thế giới. Theo công ty nghiên cứu thị trường TrendForce, Samsung Electronics đạt doanh thu khoảng 23,06 tỷ USD, chiếm 29,3% thị phần NAND flash trong quý II.

Năng lực sản xuất của Samsung Electronics cũng thuộc quy mô lớn nhất. Công ty nghiên cứu thị trường Omdia dự báo sản lượng DRAM của Samsung trong năm nay đạt khoảng 8,175 triệu tấm wafer/năm tính theo wafer 300 mm. Trong khi đó, SK Hynix dự kiến đạt khoảng 6,66 triệu tấm và Micron khoảng 3,6 triệu tấm. Đối với NAND, sản lượng wafer của Samsung cũng đạt khoảng 4,77 triệu tấm, vượt xa mức 2,79 triệu tấm của SK Hynix và Solidigm.

Một đại diện Samsung Electronics cho biết: “Dựa trên năng lực lãnh đạo về công nghệ và cơ sở hạ tầng sản xuất quy mô lớn, chúng tôi sẽ tiếp tục mở rộng vị thế dẫn đầu trên thị trường bộ nhớ toàn cầu bằng cách đáp ứng kịp thời nhu cầu thị trường, từ DRAM và NAND phổ thông đến các sản phẩm bộ nhớ AI có giá trị gia tăng cao như HBM và SSD dành cho doanh nghiệp”

Theo Lee Ji-seon