1

Ngày 18, SK Hynix thông báo đã cung cấp mẫu thử HBM4E 12 lớp, dòng DRAM hiệu năng siêu cao thế hệ mới dành cho AI, cho các khách hàng chủ chốt.

SK Hynix cho biết: "Dựa trên năng lực nghiên cứu phát triển HBM tích lũy trong thời gian qua cùng kinh nghiệm sản xuất, chúng tôi đã có thể giới thiệu mẫu HBM4E 12 lớp đến các khách hàng. Chúng tôi sẽ phối hợp chặt chẽ với các khách hàng trọng điểm để đảm bảo sản xuất hàng loạt đúng tiến độ."

Sản phẩm mới này nổi bật ở chỗ nâng cả hiệu năng lẫn hiệu quả sử dụng điện lên một cấp độ mới so với thế hệ trước là HBM4. Bộ nhớ có tốc độ xử lý dữ liệu lên tới 16 Gbps trên mỗi chân (pin) và cải thiện hơn 20% hiệu quả năng lượng, qua đó nâng cao đáng kể khả năng xử lý dữ liệu – yếu tố thiết yếu cho quá trình huấn luyện và suy luận AI.

Ngoài ra, HBM4E được trang bị giao diện mới nhất cùng thiết kế tối ưu hóa, giúp giảm độ trễ truyền dữ liệu và duy trì hoạt động ổn định ngay cả trong môi trường băng thông cực lớn. Công ty kỳ vọng điều này sẽ giúp nâng cao hơn nữa hiệu suất xử lý của các trung tâm dữ liệu AI thế hệ tiếp theo và các hệ thống điện toán quy mô lớn.

SK Hynix cũng áp dụng quy trình Advanced MR-MUF cho HBM4E, cho phép đạt dung lượng 48 GB với cấu trúc xếp chồng 12 lớp, đồng thời tăng cường độ ổn định của cấu trúc bộ nhớ. Đặc biệt, điện trở nhiệt được giảm khoảng 17% so với HBM4, giúp bộ nhớ hoạt động ổn định hơn trong các môi trường điện toán hiệu năng cao.

Ông Ahn Hyun, Chủ tịch phụ trách phát triển của SK Hynix, cho biết: "Chúng tôi đã kế thừa năng lực công nghệ và khả năng sản xuất hàng loạt hàng đầu trong ngành vào sản phẩm HBM4E, qua đó tạo nền tảng để tiếp tục dẫn dắt đổi mới AI. Thông qua hợp tác với các đối tác, chúng tôi sẽ chủ động mang đến những giá trị mà thị trường yêu cầu và củng cố vị thế dẫn đầu công nghệ với tư cách là nhà sáng tạo bộ nhớ AI toàn diện".

Theo Ahn So-yeon