0
CTO của Samsung Electronics Song Jae-hyuk đang giới thiệu các sản phẩm và công nghệ chủ chốt tại triển lãm Computex tổ chức ở Đài Bắc, Đài Loan vào ngày 2/6 (giờ địa phương). /Samsung Electronics

Samsung Electronics đã công bố quyết tâm chiếm lĩnh thị trường bộ nhớ thế hệ mới khi không chỉ xuất xưởng mẫu HBM4E (bộ nhớ băng thông cao thế hệ 7) mà còn lần đầu tiên trên thế giới giới thiệu mô hình thực tế của HBM5, thế hệ tiếp theo của HBM.

Ngày 2/6 (giờ địa phương), Samsung Electronics tham gia triển lãm Computex 2026 tổ chức tại Đài Bắc, Đài Loan và lần đầu tiên công bố mô hình thực tế của HBM5 trên thế giới. Tại sự kiện, ông Song Jae-hyuk, CTO (Giám đốc công nghệ) mảng DS của Samsung, đã giới thiệu HBM5 và giải thích định hướng công nghệ thông qua cấu trúc sản phẩm áp dụng công nghệ quản lý nhiệt thế hệ mới HPB (Heat Path Block).

HPB là công nghệ được phát triển nhằm giải quyết vấn đề nhiệt phát sinh ngày càng tăng trong quá trình nâng cao hiệu suất bộ nhớ AI. Công nghệ này được thiết kế để phân tán và tản nhiệt hiệu quả hơn. Samsung cho biết HBM5 của hãng bổ sung thêm một đường dẫn nhiệt riêng, giúp giảm điện trở nhiệt và tăng độ ổn định khi vận hành.

Samsung cũng nhấn mạnh rằng họ đã hoàn tất việc áp dụng và kiểm chứng công nghệ HPB trên sản phẩm HBM4E đã xuất xưởng mẫu. Điều này có nghĩa là công nghệ thế hệ mới đã được áp dụng vào sản phẩm thực tế, qua đó xác nhận từ thiết kế cấu trúc đến độ tin cậy và độ ổn định đóng gói.

Ông cũng cho rằng tốc độ phát triển công nghệ nhanh này đến từ năng lực của một công ty bán dẫn tích hợp. Samsung sẽ tiếp tục nâng cao hiệu suất và độ ổn định của HBM5 bằng cách áp dụng toàn diện năng lực từ thiết kế sản phẩm, bộ nhớ đến đóng gói.

Tại triển lãm lần này, Samsung cũng giới thiệu wafer và chipset HBM4E. HBM4E của Samsung được cấu thành từ lõi DRAM 1c tiên tiến nhất kết hợp với base die quy trình 4nm do chính Samsung Foundry sản xuất, thể hiện năng lực giải pháp toàn diện độc quyền của công ty. Sản phẩm đã hoàn tất xuất mẫu lần đầu vào ngày 29 tháng trước, vận hành ổn định ở mức 14Gbps mỗi pin và có thể đạt tối đa 16Gbps (băng thông tối đa 4TB/s), qua đó chứng minh năng lực cạnh tranh kỹ thuật.

Trong khi đó, khu trưng bày của Samsung tại Computex còn giới thiệu hệ thống NVIDIA Vera Rubin có sử dụng sản phẩm của Samsung. Hãng đã giới thiệu toàn bộ danh mục bộ nhớ và lưu trữ hỗ trợ hệ thống Vera Rubin, từ HBM4, SOCAMM2 đến PM1763.

Đặc biệt, HBM4 – sản phẩm Samsung là hãng đầu tiên trong ngành sản xuất hàng loạt vào tháng 2 – đạt hiệu suất 11,7Gbps (tối đa 13Gbps), hỗ trợ xử lý dữ liệu tốc độ cao cho các hệ thống AI của khách hàng.

Ông Song khẳng định: “Chúng tôi sẽ tiếp tục tăng cường năng lực công nghệ bộ nhớ thế hệ mới dựa trên hợp tác với các công ty toàn cầu, bao gồm cả Nvidia.”

Theo Lee Ji-seon